IRF6626TR1 全國供應商、價格、PDF資料

IRF6626TR1詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.4 毫歐 @ 16A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2380pF @ 15V

功率_最大：2.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST

供應商設備封裝：DIRECTFET? ST

包裝：帶卷 (TR)

IRF6626TR1詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.4 毫歐 @ 16A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2380pF @ 15V

功率_最大：2.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST

供應商設備封裝：DIRECTFET? ST

包裝：剪切帶 (CT)

IRF6626TR1PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.4 毫歐 @ 16A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2380pF @ 15V

功率_最大：2.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST

供應商設備封裝：DIRECTFET? ST

包裝：剪切帶 (CT)

IRF6626TR1PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.4 毫歐 @ 16A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2380pF @ 15V

功率_最大：2.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST

供應商設備封裝：DIRECTFET? ST

包裝：帶卷 (TR)

IRF6626TR1PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.4 毫歐 @ 16A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：2380pF @ 15V

功率_最大：2.2W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST

供應商設備封裝：DIRECTFET? ST

包裝：Digi-Reel®

• ECQ-P1H124FZW

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.12UF 50VDC RADIAL

• ISL6700EVAL1

  過時/停產零件編號    Intersil        EVALUATION BOARD ISL6700

• K220K15C0GH5UH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 22PF 100V 10% RADIAL

• IXGH15N120B2D1

  IGBT - 單路    IXYS    TO-247-3    IGBT 30A 1200V TO-247AD

• IRF6623TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    DirectFET? 等容 ST    MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET

• LM70CIMM-5/NOPB

  PMIC - 熱管理    Texas Instruments    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC TEMP SENSOR DIGITAL 8MSOP

• KTR18EZPJ114

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 110K OHM 1/4W 5% 1206 SMD

• LMX2335LTMX/NOPB

  時鐘/計時 - 時鐘發生器，PLL，頻率合成器    Texas Instruments    16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC FREQ SYNTHESIZER DUAL 16TSSOP

• ISL6700IB

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DRIVER HALF BRIDGE DUAL 8SOIC

• K221J10C0GF5TH5

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向    CAP CER 220PF 50V 5% RADIAL

• KTR18EZPJ115

  芯片電阻 - 表面安裝    Rohm Semiconductor    1206（3216 公制）    RES 1.1M OHM 1/4W 5% 1206 SMD

• LM70CIMMX-3/NOPB

  PMIC - 熱管理    Texas Instruments    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC TEMP SENSOR DIGITAL 8MSOP

• LMX2335MX

  時鐘/計時 - 時鐘發生器，PLL，頻率合成器    Texas Instruments    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC FREQ SYNTH DUAL 1.1GHZ 16SOIC

• ISL6700IBZ-T

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DRIVER HALF BRIDGE 80V 8-SOIC

• ECQ-P1H154GZW

  薄膜    Panasonic Electronic Components    徑向    CAP FILM 0.15UF 50VDC RADIAL