IRF734詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:450V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 2.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 25V
- 功率_最大:74W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRF7341PBF詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫歐 @ 4.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF7341QTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫歐 @ 5.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
IRF7341QTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫歐 @ 5.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:780pF @ 25V
- 功率_最大:2.4W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF7341TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫歐 @ 4.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
IRF7341TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.7A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫歐 @ 4.7A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:740pF @ 25V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
- FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
- TVS - 其它復合 IXYS 徑向 IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1900V
- FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC
- 陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制) CAP CER 0.82UF 25V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 16POS CABLE PIN
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT SKT
- 陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206(3216 公制) CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1206
- TVS - 其它復合 IXYS 徑向 IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2100V
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 16POS CABLE W/PIN
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
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