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IRF734詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 450V 4.9A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：450V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.9A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：680pF @ 25V; 功率_最大：74W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF7341PBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7341QTRPBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 5.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7341QTRPBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 5.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 25V; 功率_最大：2.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7341TRPBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7341TRPBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF8513TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
LM4051CEM3-ADJ/NOPB
PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
IXBOD1-19R
TVS - 其它復合 IXYS 徑向 IC DIODE MODULE BOD 1.25A 1900V
IRF7341QTRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 55V 8-SOIC
ECJ-3YB1E824K
陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 0.82UF 25V 10% X7R 1206
K471K10X7RH5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
IRF8707GTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
KPT06E20-16PDZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 16POS CABLE PIN
KPSE02E16-26SZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT SKT
ECJ-3YB2A104K
陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1206
IXBOD1-21R
TVS - 其它復合 IXYS 徑向 IC DIODE MODULE BOD 0.9A 2100V
K471K15C0GF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL
KPT06E20-16PY
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 16POS CABLE W/PIN
KPSE02E16-26SZA206
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/SKTS
IRF8707TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

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