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IRF7389TRPBF 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRF7389TRPBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.3A,5.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫歐 @ 5.8A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®

IRF7389TRPBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:HEX/MOS N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.3A,5.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫歐 @ 5.8A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)

IRF7389TRPBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.3A,5.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫歐 @ 5.8A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:33nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

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