IRF7424GTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4030pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
IRF7424GTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4030pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF7424GTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4030pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF7424PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4030pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF7424TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4030pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF7424TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.5 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:4030pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK 8PT RELAY OUTPUT
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A2015N/X 8"
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3049A/X 5"
- 薄膜 AVX Corporation 徑向,Can - 螺絲端子 CAP FILM 35UF 1.9KVDC SCREW
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60H/AE60G/HDM60H
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3049B/X 5"
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1502TR/A3049Y/X 8"
- 薄膜 AVX Corporation 徑向,Can - 螺絲端子 CAP FILM 47UF 1.1KVDC SCREW
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048B/X 5"
- 矩形 Assmann WSW Components DIP CABLE - HDM60H/AE60G/HDM60H
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MULTIPLE IO 4 T/C INPUTS
- 跳線,預壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1501TR/A3048G/X 5"
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