IRF7460詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF7460PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF7460TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF7460TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF7460TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF7460TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫歐 @ 12A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:19nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2050pF @ 10V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 55POS W/PIN CABLE
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 15POS CBL MNT PIN
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3900PF 100V X7R RADIAL
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 固定式 Vishay Dale 1008(2520 公制) INDUCTOR 3.9UH 5% SMD
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 27A DIRECTFET
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 740-LBGA IC MPU PWRQUICC II 740-TBGA
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 3900PF 50V X7R RADIAL
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 19POS CBL MNT PIN
- 固定式 Vishay Dale 1008(2520 公制) INDUCTOR 120NH 5% SMD
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 668-BBGA 裸露焊盤 IC MPU POWERQUICC II 668-PBGA
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
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