IRF7752詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：861pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：管件
IRF7752GTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：861pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF7752GTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：861pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF7752GTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：861pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：Digi-Reel®
IRF7752TR詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：861pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF7752TRPBF詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：2 個 N 溝道（雙）
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.6A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：30 毫歐 @ 4.6A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：9nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：861pF @ 25V
- 功率_最大：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-TSSOP
- 包裝：剪切帶 (CT)
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP INSTR 200KHZ 16SOIC
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT PDP 330V 40A D2PAK
- FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH DUAL 20V 4.7A 8TSSOP
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT PDP 330V 40A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 1.5UH 6.9A SMD
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MX MOSFET N CH 25V 35A DIRECTFET
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 8.2K OHM 4 RES 1206
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP INSTR 300KHZ 14SOIC
- FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-TSSOP
- FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 50V 3A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 1.8UH 6.5A SMD
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 IGBT 600V 78A TO220AB
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 91K OHM 4 RES 1206
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP DIFF 1.5MHZ DUAL 14SOIC
- FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 4.6A 8TSSOP
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