IRF7807 全國供應商、價格、PDF資料

IRF7807詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7807A詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7807APBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7807ATR詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF7807ATRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

IRF7807ATRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.3A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：-

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

• H2BBT-10112-V6-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1500TR/A3049V/H1500TR12"

• HBS2KGR4SP011C

  快動，限位，拉桿    C&K Components    9-DIP 模塊    SWITCH SNAP SPDT 20A SOLDER MNT

• IRF7807ATRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

• FGG.0B.303.CLAD42

  連接器，互連器件    LEMO    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    PLUG CDG 3CTS C-COL

• IPM12C0A0S04FA

  DC DC Converters    Delta Product Groups/Power    7-SMD 模塊    POWER MOD DC/DC 0.9 5V 4A SMD

• HBU100JBBCF0KR

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向，圓盤    CAP CER 10PF 2KV 5% RADIAL

• GP1FAV31TK0F

  光纖 - 發射器 - 驅動器集成電路    Sharp Microelectronics    PCB 安裝    TRANSMITTER FIBER OPTIC 15.5MBPS

• IRF6610TR1

  FET - 單    International Rectifier    DirectFET? 等容 SQ    MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET

• H2BXG-10102-A6-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1501TR/A3049A/X 2"

• FGG.0B.303.CYCD56

  連接器，互連器件    LEMO    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    PLUG CDG 3CTS C-COL

• IPM12C0A0S04FA

  DC DC Converters    Delta Product Groups/Power    7-SMD 模塊    POWER MOD DC/DC 0.9 5V 4A SMD

• HBV-I-R

  保險絲座    Cooper Bussmann    徑向，圓盤    FUSEHOLDER 1/4" 16A VERT PCB

• IRF6610TR1PBF

  FET - 單    International Rectifier    DirectFET? 等容 SQ    MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET

• GP1FM514TZ0F

  光纖 - 發射器 - 驅動器集成電路    Sharp Microelectronics    PCB 安裝    TRANSMITTER POF SQ 5V NONSCREW

• H2BXG-10102-G8-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1501TR/A3048G/X 2"