IRF7821GTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.1 毫歐 @ 13A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1010pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
IRF7821GTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.1 毫歐 @ 13A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1010pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF7821GTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.1 毫歐 @ 13A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1010pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF7821PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.1 毫歐 @ 13A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1010pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF7821TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.1 毫歐 @ 13A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1010pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF7821TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.1 毫歐 @ 13A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1010pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
- 配件 CUI Inc TO-220-5 全封裝(成形引線) DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S15
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) CAP CER 560PF 25V 5% NP0 0603
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
- 矩形 - 外殼 JST Sales America Inc 徑向,圓盤 CONN RECEPT HOUSING 6POS RED
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.85V .3A 10-DFN
- 扁平帶 3M CABLE 26COND RND SHIELD GRY 50’
- 振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 49.1520MHZ 5.0V +-25PPM SMD
- 單二極管/齊納 Comchip Technology 1005(2512 公制) DIODE ZENER 2.4V 200MW 1005
- AC DC 轉換器 CUI Inc TO-220-5 全封裝(成形引線) CONVERTER AC/DC 24V OUT 30W
- 矩形 - 外殼 JST Sales America Inc 徑向,圓盤 CONN RECEPT HOUSING 6POS BLUE
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.85V/3.3V .3A 10-DFN
- 扁平帶 3M CABLE 30COND RND SHIELD GRY 50’
- 振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 50.0000MHZ 5.0V +-25PPM SMD
- 單二極管/齊納 Comchip Technology 1005(2512 公制) DIODE ZENER 3V 200MW 1005
- 配件 CUI Inc TO-220-5 全封裝(成形引線) DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S30
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