IRF840 全國供應商、價格、PDF資料

IRF840詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220

系列：PowerMESH™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 3.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：832pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF840詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF840A詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF840AL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRF840ALPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRF840APBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

• IRKT71/10A

  SCR    Vishay Semiconductors    ADD-A-PAK（3 + 4）    SCR DBL 2SCR 1000V 75A ADD-A-PAK

• IRF740STRLPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

• IHSM7832EB183L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 18MH 0.11A SMD

• IRF840ALPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 500V 8A TO-262

• EXB-D10C471J

  網絡、陣列    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制），凹陷    RES ARRAY 470 OHM 8 RES 1206

• CRCW25121R54FNTG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 1.54 OHM 1W 1% 2512 SMD

• IRKT91/12A

  SCR    Vishay Semiconductors    ADD-A-PAK（3 + 4）    SCR DBL 2SCR 1200V 95A ADD-A-PAK

• IRKT92/04A

  SCR    Vishay Semiconductors    ADD-A-PAK（3 + 4）    SCR DBL 2SCR 400V 90A ADD-A-PAK

• IRF7410GTRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC

• EXB-D10C472J

  網絡、陣列    Panasonic Electronic Components    1206（3216 公制），凹陷    RES ARRAY 4.7K OHM 8 RES 1206

• IRKT92/14A

  SCR    Vishay Semiconductors    ADD-A-PAK（3 + 4）    SCR DBL 2SCR 1400V 90A ADD-A-PAK

• CRCW25121R60JNEG

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Dale    2512（6432 公制）    RES 1.6 OHM 1W 5% 2512 SMD

• IRL1004LPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 40V 130A TO-262

• IHSM7832EB272L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 2700UH 0.29A SMD

• IRF7410GTRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC