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IRF8915 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRF8915詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.3 毫歐 @ 8.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:管件

IRF8915PBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.3 毫歐 @ 8.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:管件

IRF8915TR詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.3 毫歐 @ 8.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

IRF8915TRPBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.3 毫歐 @ 8.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)

IRF8915TRPBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.3 毫歐 @ 8.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®

IRF8915TRPBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.3 毫歐 @ 8.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 10V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

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