IRF9530NS詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF9530NSPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRF9530NSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF9530NSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
IRF9530NSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF9530NSTRR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- 觸摸 C&K Components TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC) SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Micrel Inc SC-74A,SOT-753 IC OPAMP PRIME 500KHZ SOT23-5
- 振蕩器 ECS Inc 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 40.00 MHZ 1.8V SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
- 固定式 AVX Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR THIN FILM 4.7NH 0402
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.02UF 630VDC RADIAL
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology L37-5 SHEET 640X320X5MM W/ADH
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.579545 MHZ 18PF SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Micrel Inc SC-74A,SOT-753 IC OPAMP STD 500KHZ SOT23-5
- 固定式 AVX Corporation 0402(1005 公制) INDUCTOR THIN FILM .82NH 0402
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.2UF 630VDC RADIAL
- 標簽,標記 Panduit Corp LABEL LS3E WHT 1.5X1.5" 250/ROLL
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.579545 MHZ 18PF SMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SC-74A,SOT-753 IC OPAMP RRIO TINY LP SOT23-5
- 觸摸 C&K Components TO-226-2,TO-92-2(TO-226AC) SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 50V
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