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IRF9956 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRF9956詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 2.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 15V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:管件

IRF9956PBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 2.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 15V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:管件

IRF9956TR詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 2.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 15V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

IRF9956TRPBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:HEX/MOS N-CH DUAL 30V 3.5V 8SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 2.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 15V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)

IRF9956TRPBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 2.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 15V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

IRF9956TRPBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:HEX/MOS N-CH DUAL 30V 3.5V 8SOIC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫歐 @ 2.2A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:190pF @ 15V
功率_最大:2W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®

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