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IRF9Z14S 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRF9Z14S詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫歐 @ 4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
功率_最大:3.7W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:管件

IRF9Z14SPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫歐 @ 4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
功率_最大:3.7W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:管件

IRF9Z14STRL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫歐 @ 4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
功率_最大:3.7W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

IRF9Z14STRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫歐 @ 4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
功率_最大:3.7W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

IRF9Z14STRR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫歐 @ 4A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
功率_最大:3.7W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

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