IRFBC40L的供應信息|PDF資料|求購IRFBC40L上51電子網

IRFBC40L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRFBC40LC詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFBC40LCL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRFBC40LCPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFBC40LCS詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFBC40LCSTRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFBC40ASTRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
IDT7027S55PF
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP
IXFL70N60Q2
FET - 單 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
ISL9502CRZ-T
PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR BUCK PWM 48-QFN
CV500-BC031
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BACKPLANE CPU 3 SLOT
ISL88001IE22Z-TK
PMIC - 監控器 Intersil SC-70，SOT-323 IC VOLT SUPERVISOR 2.19V SC-70
IDT72211L15J8
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引線） IC FIFO 512X9 SYNC 15NS 32-PLCC
IDT7028L15PFG
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP
ISL9517HRZ-T
PMIC - 電池管理 Intersil 28-VFQFN 裸露焊盤 IC CHRGR VDC BATT 28-QFN
IXFL80N50Q2
FET - 單 IXYS ISOPLUS264? MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264
ISL88001IE29Z-T7A
PMIC - 監控器 Intersil SC-70，SOT-323 IC VOLT SUPERVISOR 2.92V SC70-3
IDT72211L15PF
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC FIFO 512X9 SYNC 15NS 32-TQFP
IDT7034L15PF8
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 72KBIT 15NS 100TQFP
ISL9519EVAL1Z
評估演示板和套件 Intersil * EVAL BOARD FOR ISL9519
CV500-BC031
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 64-TQFP BACKPLANE CPU 3 SLOT

久久综合精品国产一区二区三区-人人狠狠综合久久亚洲-久久精品这里热有精品-亚洲欧美日韩另类国产第一