IRFBC40LC 全國供應商、價格、PDF資料

IRFBC40LC詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRFBC40LCL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRFBC40LCPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRFBC40LCS詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRFBC40LCSTRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRFBC40LCSTRR詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• IR3899MTRPBF

  其它    International Rectifier        IC BUCK SYNC ADJ 9A 16QFN

• IRFBC40LCL

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262

• IRFR120NCPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK

• ISL88705IP846Z

  PMIC - 監控器    Intersil    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC SUPERVISOR MPU 4.64V 8-DIP

• IRKT142/16

  SCR    Vishay Semiconductors    INT-A-PAK（3 + 4）    SCR DBL HISCR 1600V 140A INTAPAK

• ISL28417FBZ-T7A

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Intersil    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC OPAMP PREC 1.5MHZ LP 14SOIC

• IR3E3076

  線性 - 視頻處理    Sharp Microelectronics    12-LSOP（0.173"，4.40mm 寬）    GSIC FOR LQ038Q7DB03 TFT DISPLAY

• E3X-MC11

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    -    REMOTE CONTROL KIT

• IRU1010CYTR

  PMIC - 穩壓器 - 線性    International Rectifier    TO-261-4，TO-261AA    IC REG LDO ADJ 1A SOT-223

• ISL88706IP826Z

  PMIC - 監控器    Intersil    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC SUPERVISOR MPU 2.63V 8-PDIP

• IRKT162/12

  SCR    Vishay Semiconductors    INT-A-PAK（3 + 4）    SCR DBL HISCR 1200V 160A INTAPAK

• IR42-21C/TR8

  紅外發射器，UV 發射器    Everlight Electronics Co Ltd    2-SMD，無引線    LED IR SUBMINI 1.8MM ROUND SMD

• E3X-MC11

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    -    REMOTE CONTROL KIT

• ISL28417FVBZ-T7A

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Intersil    14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC OPAMP 1.5MHZ QUAD LP 14TSSOP

• IRU1015-33CD

  PMIC - 穩壓器 - 線性    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    IC REG LDO 3.3V 1.5A D-PAK