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IRFH5020TR2PBF 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRFH5020TR2PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 7.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 150µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:54nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2290pF @ 100V
功率_最大:3.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-VQFN
供應商設備封裝:PQFN(5x6)單芯片焊盤
包裝:帶卷 (TR)

IRFH5020TR2PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 7.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 150µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:54nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2290pF @ 100V
功率_最大:3.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-VQFN
供應商設備封裝:PQFN(5x6)單芯片焊盤
包裝:剪切帶 (CT)

IRFH5020TR2PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 7.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 150µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:54nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2290pF @ 100V
功率_最大:3.6W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-VQFN
供應商設備封裝:PQFN(5x6)單芯片焊盤
包裝:Digi-Reel®

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