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IRFHS9301TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 6A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：580pF @ 25V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-PowerVQFN; 供應商設備封裝：6-PQFN（2x2）; 包裝：Digi-Reel®

IRFHS9301TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 6A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：580pF @ 25V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-PowerVQFN; 供應商設備封裝：6-PQFN（2x2）; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFHS9301TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 30V 6A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫歐 @ 7.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.4V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：580pF @ 25V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-PowerVQFN; 供應商設備封裝：6-PQFN（2x2）; 包裝：帶卷 (TR)

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固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 1.0UH 10% 1210
LD035C104KAB9A
陶瓷 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 0603
K681K10X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 680PF 50V 10% RADIAL
LD1085D2M33R
PMIC - 穩壓器 - 線性 STMicroelectronics TO-263-4，D²Pak（3 引線+接片），TO-263AA IC REG LDO 3.3V 3A D2PAK/A
JS1A-24V-F
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 矩形接線盒 RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 24V