IRFR110 全國供應商、價格、PDF資料

IRFR110詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 2.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRFR110PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 2.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRFR110TR詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 2.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRFR110TRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 2.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRFR110TRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 2.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRFR110TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4.3A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 2.6A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

• IDT3CP0C02-48NSGET

  時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器    IDT, Integrated Device Technology Inc    4-VDFN    IC OSC PROGRAMMABLE TIMER 48MHZ

• FCCA-40A-01

  線夾和夾具    Richco Plastic Co    i4-Pac?-5    CABLE CLAMP FLAT NATURAL ARROW

• IRFR1010Z

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

• CSSG10SA

  配件    Red Lion Controls        SINGLE LOOP 1 SG INPUT SOLID ST

• IRFR110

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

• F2500CA03

  電源輸入 - 模塊    Curtis Industries    徑向，圓盤    POWER ENTRY FILTERED 3A FASTON

• GTC02R-24-2P

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations        CONN RCPT 7POS BOX MNT W/PINS

• CSSH2728FT5L00

  芯片電阻 - 表面安裝    Stackpole Electronics Inc    寬 2827（7067 公制），2728    RES 0.005 OHM 4W 1% 2728 SMD

• IDT3CP0C02-8NSGE

  時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器    IDT, Integrated Device Technology Inc    4-VDFN    IC OSC PROGRAMMABLE TIMER 8MHZ

• CSS-H5B43

  蜂鳴器    CUI Inc    寬 2827（7067 公制），2728    BUZZER MAG 14X11X3MM 4-6VO-P SMD

• IRFR120

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

• GTC02R-24-53P

  連接器，互連器件    Amphenol Industrial Operations        CONN RCPT 5POS BOX MNT W/PINS

• IDT3CP0C02-96NSGET

  時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器    IDT, Integrated Device Technology Inc    4-VDFN    IC OSC PROGRAMMABLE TIMER 96MHZ

• FCCE-9-01

  線夾和夾具    Richco Plastic Co    i4-Pac?-5    CABLE CLAMP FLAT NATURAL

• CSS-I4B20

  蜂鳴器    CUI Inc    寬 2827（7067 公制），2728    BUZZER MAGNETIC 8.5MM 3-5V SMD