IRFR12N25D 全國供應商、價格、PDF資料
IRFR12N25D詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:260 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 25V
- 功率_最大:144W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR12N25DCPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:260 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 25V
- 功率_最大:144W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR12N25DCTRLP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:260 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 25V
- 功率_最大:144W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR12N25DCTRRP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:260 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 25V
- 功率_最大:144W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR12N25DPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:260 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 25V
- 功率_最大:144W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR12N25DTRLP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:250V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:14A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:260 毫歐 @ 8.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:35nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:810pF @ 25V
- 功率_最大:144W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 15UH 10% 1210
- 板對板 - 陣列,邊緣類型,包廂 JAE Electronics 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) CONN RCPT 70POS 0.5MM SMD
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS W/SKT WALL
- 圓形 - 外殼 ITT Cannon 6 PIN CONTACT CONNECTOR
- FET - 單 IXYS TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.015UF 250VDC RADIAL
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 1.0UH 5% 1210
- DC DC Converters GE 9-DIP 模塊 CONVERT DC/DC 3.3V 21.5W OUT
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 12POS W/SKT WALL
- FET - 單 IXYS TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS JAM NUT W/PINS
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.15UF 250VDC RADIAL
- DC DC Converters GE 9-DIP 模塊 CONVERTER DC/DC 5V 50W OUT
- 固定式 Vishay Dale 1210(3225 公制) INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1210
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