久久综合精品国产一区二区三区-人人狠狠综合久久亚洲-久久精品这里热有精品-亚洲欧美日韩另类国产第一

添加收藏夾 設為首頁 深圳服務熱線:13751165337  13692101218 網站地圖|企業名錄|IC詳細資料|熱門庫存|Pdf資料

51電子網Log圖片

IC供應PDF資料非IC供應

51電子網聯系電話:13751165337

當前位置:網站首頁 » 庫存索引149 » 型號"IRFR214TR"的供應信息

IRFR214TR 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
按地區:全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

IRFR214TR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 歐姆 @ 1.3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR214TRL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 歐姆 @ 1.3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR214TRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 歐姆 @ 1.3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR214TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 歐姆 @ 1.3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR214TRR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 歐姆 @ 1.3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR214TRRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:250V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:2.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 歐姆 @ 1.3A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.2nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:140pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR214TR供應商

查看更多IRFR214TR的供應商
把51電子網設為首頁      把51電子網加入收藏夾
關于我們 | 會員收費標準 | 廣告服務 | 付款方式 | 友情鏈接 | 網站地圖 | 聯系我們 | 免責聲明
庫存上載:service@51dzw.com   
版權所有:51dzw.COM 粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn) 服務熱線(深圳):13751165337 13692101218 傳真:0755-83035052 投訴電話:0755-83030533


 復制成功!
宜昌市| 竹北市| 汤原县| 大同县| 通海县| 洛南县| 商洛市| 龙山县| 霍山县| 盱眙县| 司法| 镇平县| 龙岩市| 荃湾区| 临桂县| 曲阳县| 紫阳县| 余姚市| 四川省| 千阳县| 南京市| 永城市| 阜新| 乌拉特后旗| 霍城县| 龙江县| 阜阳市| 琼海市| 贵港市| 阆中市| 呼玛县| 孟村| 沾益县| 北流市| 沭阳县| 满洲里市| 临城县| 云南省| 宣城市| 南木林县| 富裕县|