IRFR5410PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:205 毫歐 @ 7.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:66W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR5410TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:205 毫歐 @ 7.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:66W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR5410TRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:205 毫歐 @ 7.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:66W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR5410TRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:205 毫歐 @ 7.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:66W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR5410TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:205 毫歐 @ 7.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:66W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRFR5410TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:205 毫歐 @ 7.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:760pF @ 25V
- 功率_最大:66W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- IGBT IXYS ISOPLUS227? IGBT 600V ISOPLUS227
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-220-3 MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) CAP CER 8.4PF 50V S2H 0402
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 27.000 MHZ 3.3V SMD
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM DDR-II CIO 36MB 165FBGA
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 537.6 MHZ 3.3V PECL SMD
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 24-SSOP(0.209",5.30mm 寬) IC DVR HALF BRIDGE 600V 24-SSOP
- 配件 Avago Technologies US Inc. SFF MT-RJ PORT PLUG
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 28.636 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- FET - 單 STMicroelectronics TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 8-DIP(0.300",7.62mm) IC MOSFET DRIVER SGL-CH 8-DIP
- 光纖 - 收發器 Avago Technologies US Inc. TXRX 1X9 622MB/S SR METAL HOUSE
- 振蕩器 Fox Electronics 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 60 MHZ 3.3V PECL SMD
- 存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165-FPBGA
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