IRFR9014詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫歐 @ 3.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR9014NTR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫歐 @ 3.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9014NTRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫歐 @ 3.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9014NTRR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫歐 @ 3.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9014PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫歐 @ 3.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR9014TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.1A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:500 毫歐 @ 3.1A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3 IGBT STD 250V 98A TO247AC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET VERTICAL FOR E3T-S
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
- 數據采集 - 數模轉換器 Intersil 48-LQFP IC DAC 14BIT CMOS DUAL 48LQFP
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向,圓盤 CAP CER 220PF 3KV 10% RADIAL
- 時鐘/計時 - 實時時鐘 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC RTC/CALENDAR TEMP SNSR 8-SOIC
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FUJI FILM BUILT-IN AMP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div S-BRACKET VERTICAL FOR E3T-S
- 線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器 Intersil 16-SSOP(0.154",3.90mm 寬) IC AMP MULTIPLEX 400MHZ 16-QSOP
- 時鐘/計時 - 實時時鐘 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC RTC/CALENDAR TEMP SNSR 8SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向,圓盤 CAP CER 2200PF 3KV 20% RADIAL
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div SENSOR FUJI FILM BUILT-IN AMP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET VERTICAL FOR E3T-F
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