IRFR9110 全國供應商、價格、PDF資料

IRFR9110詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.1A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRFR9110PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.1A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRFR9110TR詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.1A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRFR9110TRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.1A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRFR9110TRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.1A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRFR9110TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.1A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 1.9A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：Digi-Reel®

• HFBR-END035Z

  配件    Avago Technologies US Inc.        CABLE POF BLK STD DUPLEX 35M

• IR2133JTRPBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    International Rectifier    44-PLCC（32 引線）    IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44PLCC

• GRM1556T1H101JD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 100PF 50V 5% T2H 0402

• IRFR9110TRL

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

• FXO-HC736R-5

  振蕩器    Fox Electronics    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 5 MHZ 3.3V HCMOS SMD

• IRF6610TR1PBF

  FET - 單    International Rectifier    DirectFET? 等容 SQ    MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET

• IR2133STR

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    International Rectifier    28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC

• HFBR-EUD500

  配件    Avago Technologies US Inc.        CABLE POF BLK DUPLEX UNCONN 500M

• CY7C1440AV33-167BZC

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    165-LBGA    IC SRAM 36MBIT 167MHZ 165LFBGA

• FXO-HC736R-57.272

  振蕩器    Fox Electronics    6-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 57.272 MHZ 3.3V HCMOS SMD

• IR2135J

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    International Rectifier    44-PLCC（32 引線）    IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC

• HFBR-EUD500

  配件    Avago Technologies US Inc.        CABLE POF BLK DUPLEX UNCONN 500M

• CY7C1440AV33-167BZCT

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    165-LBGA    IC SRAM 36MBIT 167MHZ 165LFBGA

• IRFR9120NPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

• GRM1556T1H120JD01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0402（1005 公制）    CAP CER 12PF 50V 5% T2H 0402