IRFR9120NCPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 3.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR9120NPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 3.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR9120NTRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 3.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9120NTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 3.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9120NTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 3.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9120NTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 3.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 光學 - LED,燈 - 透鏡 Ledil LENS FOR OSRAM OS DIAMOND DRAGON
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC TCXO 13.000MHZ 3.0V SMD
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS PANEL MNT W/PINS
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向,圓盤 CAP CER 330PF 1KV 10% RADIAL
- 時鐘/計時 - 時鐘緩沖器,驅動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SSOP(0.209",5.30mm 寬) IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SSOP
- 光學 - LED,燈 - 透鏡 Ledil LED PLATINUM DRAGON 21.56MM DIA
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS PANEL MNT W/SCKT
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向,圓盤 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206(3216 公制) CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC TCXO 26.000MHZ 3.0V SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 時鐘/計時 - 時鐘緩沖器,驅動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
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