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IRFS4310ZTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：120A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6860pF @ 50V; 功率_最大：250W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFS4310ZTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：120A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6860pF @ 50V; 功率_最大：250W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRFS4310ZTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：120A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：6860pF @ 50V; 功率_最大：250W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

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IRFS4310PBF
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IPI60R125CP
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固定式 Vishay Dale WW SMD INDUCTOR 5 1.8 10%
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數據采集 - 數字電位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC POT DUAL 32TAP 20-QFN
IPI80N06S4-05
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
LM4906MMBD
評估板 - 音頻放大器 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） BOARD EVALUATION LM4906MM
KPT07B12-10SW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS JAM NUT SKT
IMS05EB2R2K
固定式 Vishay Dale WW SMD INDUCTOR 5 2.2 10%
ISL22102IV20Z
數據采集 - 數字電位器 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC POT DUAL 32TAP 20-TSSOP
ECQ-E4223KFB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.022UF 400VDC RADIAL