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IRFS7437TRLPBF 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRFS7437TRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
系列:StrongIRFET™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:195A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3.9V @ 150µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:225nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7330pF @ 25V
功率_最大:230W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

IRFS7437TRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
系列:StrongIRFET™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:195A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3.9V @ 150µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:225nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7330pF @ 25V
功率_最大:230W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

IRFS7437TRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
系列:StrongIRFET™
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:40V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:195A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.8 毫歐 @ 100A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):3.9V @ 150µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:225nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7330pF @ 25V
功率_最大:230W
安裝類型:*
封裝/外殼:*
供應商設備封裝:*
包裝:*

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