IRL510STRL 全國供應商、價格、PDF資料
IRL510STRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 3.4A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRL510STRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 3.4A,5V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:6.1nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:250pF @ 25V
- 功率_最大:3.7W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 19A TO-220AB
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 150 OHM 8 RES 1608
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 215 OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 15MH 0.12A SMD
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608(4021 公制),凹陷 RES ARRAY 180 OHM 8 RES 1608
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 21.0K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 47UH 2.6A SMD
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