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IRLHS2242TR2PBF 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRLHS2242TR2PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 8.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 10µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:877pF @ 10V
功率_最大:2.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-PowerVDFN
供應商設備封裝:6-PQFN(2x2)
包裝:帶卷 (TR)

IRLHS2242TR2PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 8.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 10µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:877pF @ 10V
功率_最大:2.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-PowerVDFN
供應商設備封裝:6-PQFN(2x2)
包裝:剪切帶 (CT)

IRLHS2242TR2PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:7.2A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:31 毫歐 @ 8.5A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 10µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:877pF @ 10V
功率_最大:2.1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-PowerVDFN
供應商設備封裝:6-PQFN(2x2)
包裝:Digi-Reel®

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