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IRLHS6376TR2PBF 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRLHS6376TR2PBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫歐 @ 3.4A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 10µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-VDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:6-PQFN(2x2)
包裝:Digi-Reel®

IRLHS6376TR2PBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫歐 @ 3.4A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 10µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-VDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:6-PQFN(2x2)
包裝:帶卷 (TR)

IRLHS6376TR2PBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 N 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:63 毫歐 @ 3.4A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.1V @ 10µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:2.8nC @ 4.5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:270pF @ 25V
功率_最大:1.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-VDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝:6-PQFN(2x2)
包裝:剪切帶 (CT)

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