IRLR3714 全國供應商、價格、PDF資料

IRLR3714詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V

功率_最大：47W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRLR3714PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V

功率_最大：47W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRLR3714TRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V

功率_最大：47W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRLR3714TRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V

功率_最大：47W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRLR3714TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V

功率_最大：47W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：Digi-Reel®

IRLR3714TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：36A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.7nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V

功率_最大：47W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

• IRF7338TRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC

• IRLR3714TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

• HFBR-RTD45DZ

  配件    Avago Technologies US Inc.        CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 4.5M

• FQ5032B-19.6608

  晶體    Fox Electronics    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    CRYSTAL 19.6608 MHZ 20PF SMD

• IRFZ24NSTRL

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK

• JR25WP-4S(71)

  連接器，互連器件    Hirose Electric Co Ltd        CONN PLUG WATERPROOF 4POS FMALE

• FWP-20A14F

  保險絲 - 電氣，特制    Cooper Bussmann    盒，非標準    FUSE 20A 700V HS FERRULE

• CY7C1911KV18-300BZXC

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    165-LBGA    IC SRAM 2MX9 1.8V SYNC 165FBGA

• IRF7338TRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC

• IRFZ34NS

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

• FQ5032B-20

  晶體    Fox Electronics    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    CRYSTAL 20.0 MHZ 20PF SMD

• JR25WP-5S(71)

  連接器，互連器件    Hirose Electric Co Ltd        CONN PLUG WATERPROOF 5POS FMALE

• FWP-30A14F

  保險絲 - 電氣，特制    Cooper Bussmann    盒，非標準    FUSE 30A 700V FERRULE

• CY7C199C-15VXC

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    28-BSOJ    IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ

• IRLR3715TRLPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 20V 54A DPAK