ISC1812ES1R2J 全國供應商、價格、PDF資料

ISC1812ES1R2J詳細規格

類別：固定式

描述：INDUCTOR WW 1.2UH 5% 1812

系列：ISC-1812

制造商：Vishay Dale

類型：鐵粉芯

電感：1.2µH

電流：

額定電流：429mA

電流_飽和值：-

容差：±5%

材料_磁芯：鐵粉

屏蔽：屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 380 毫歐

不同頻率時的Q值：30 @ 7.96MHz

頻率_自諧振：120MHz

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：1812（4532 公制）

大小/尺寸：0.177" L x 0.126" W x 0.126" H（4.50mm x 3.20mm x 3.20mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：帶卷 (TR)

• H48-6C-640-320-1.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 640X320X1MM

• IPW60R190C6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247

• IRFU5305PBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK

• GJM0335C1E4R8BB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 4.8PF 25V NP0 0201

• ISC1812ES181J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 180UH 5% 1812

• IRFU5505

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK

• FDS6675BZ

  FET - 單    Fairchild Optoelectronics Group    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

• IPW65R110CFD

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247

• H48-6C-640-320-2.0-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH

• GJM0335C1E5R0CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5PF 25V NP0 0201

• H48-6G-100-100-2.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 100X100X2MM

• IPW65R190C6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247

• IRFU9120

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK

• FDS6676AS

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC

• GJM0335C1E5R1CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201