ISC1812ES331K 全國供應商、價格、PDF資料

ISC1812ES331K詳細規格

類別：固定式

描述：INDUCTOR WW 330UH 10% 1812

系列：ISC-1812

制造商：Vishay Dale

類型：鐵氧體芯體

電感：330µH

電流：

額定電流：96mA

電流_飽和值：-

容差：±10%

材料_磁芯：鐵氧體

屏蔽：屏蔽

DC電阻333DCR444：最大 7.54 歐姆

不同頻率時的Q值：40 @ 796kHz

頻率_自諧振：3.7MHz

工作溫度：-55°C ~ 125°C

封裝/外殼：1812（4532 公制）

大小/尺寸：0.177" L x 0.126" W x 0.126" H（4.50mm x 3.20mm x 3.20mm）

安裝類型：表面貼裝

包裝：帶卷 (TR)

• IPW65R190C6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 700V 20.2A TO247

• IRFU9120

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK

• FDS6676AS

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC

• GJM0335C1E5R1CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.1PF 25V NP0 0201

• ISC1812ES1R8K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 1.8UH 10% 1812

• IRFU9120NPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK

• H48-6G-100-100-3.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 100X100X3MM

• IPW65R190E6

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-247-3    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247

• IRFU9310PBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA    MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK

• GJM0335C1E5R2CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201

• IRFW630BTM_FP001

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

• H48-6G-150-150-1.0-0

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 150X150X1MM

• IQ1030 2202

  配件    APM Hexseal    TO-247-3    BOOT SWITCH TOGGLE BLACK

• FDS6682

  FET - 單    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC

• IRFZ14STRLPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK