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IXFE48N50Q 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IXFE48N50Q詳細規格

類別:FET
描述:MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:500V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:41A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 24A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:190nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:7000pF @ 25V
功率_最大:400W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商設備封裝:SOT-227B
包裝:管件

IXFE48N50QD2詳細規格

類別:FET
描述:MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:500V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:41A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 24A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:190nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:8000pF @ 25V
功率_最大:400W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商設備封裝:SOT-227B
包裝:管件

IXFE48N50QD3詳細規格

類別:FET
描述:MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:500V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:41A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 24A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:190nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:8000pF @ 25V
功率_最大:400W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商設備封裝:SOT-227B
包裝:管件

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