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IXFH12N120 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IXFH12N120詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:1200V(1.2kV)
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.4 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:95nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3400pF @ 25V
功率_最大:500W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應商設備封裝:TO-247
包裝:管件

IXFH12N120P詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247
系列:Polar™ HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:1200V(1.2kV)
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.35 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):6.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:103nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5400pF @ 25V
功率_最大:543W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應商設備封裝:TO-247
包裝:管件

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