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IXFT12N100Q 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IXFT12N100Q詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:1000V(1kV)
電流_連續漏極333Id4440a025000C:12A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.05 歐姆 @ 6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:90nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2900pF @ 25V
功率_最大:300W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA
供應商設備封裝:TO-268
包裝:管件

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