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IXFT30N50 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IXFT30N50詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:500V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:300nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5700pF @ 25V
功率_最大:360W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA
供應商設備封裝:TO-268
包裝:管件

IXFT30N50P詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
系列:PolarHV™ HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:500V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:70nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4150pF @ 25V
功率_最大:460W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA
供應商設備封裝:TO-268
包裝:管件

IXFT30N50Q詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:500V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:160 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:190nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:4925pF @ 25V
功率_最大:360W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA
供應商設備封裝:TO-268
包裝:管件

IXFT30N50Q3詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:500V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:30A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:200 毫歐 @ 15A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):6.5V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:62nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:3200pF @ 25V
功率_最大:690W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA
供應商設備封裝:TO-268
包裝:管件

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