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IXTA1N120P 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IXTA1N120P詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263
系列:PolarVHV™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:1200V(1.2kV)
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 歐姆 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4.5V @ 50µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17.6nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:550pF @ 25V
功率_最大:63W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:TO-263
包裝:管件

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