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IXTP3N100D2 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IXTP3N100D2詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
系列:-
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:耗盡模式
漏極至源極電壓333Vdss444:1000V(1kV)
電流_連續漏極333Id4440a025000C:3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 歐姆 @ 1.5A,0V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:37.5nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1020pF @ 25V
功率_最大:125W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

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