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IXTU01N100D 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IXTU01N100D詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
系列:-
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:耗盡模式
漏極至源極電壓333Vdss444:1000V(1kV)
電流_連續漏極333Id4440a025000C:100mA
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 歐姆 @ 50mA,0V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 25µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:-
輸入電容333Ciss4440a0Vds:120pF @ 25V
功率_最大:1.1W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
供應商設備封裝:TO-251
包裝:管件

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