IXTY08N50D2 全國供應商、價格、PDF資料
IXTY08N50D2詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
- 系列:-
- 制造商:IXYS
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:耗盡模式
- 漏極至源極電壓333Vdss444:500V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:800mA
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:4.6 歐姆 @ 400mA,0V
- Id時的Vgs333th444(最大):-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:12.7nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:312pF @ 25V
- 功率_最大:60W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:TO-252,(D-Pak)
- 包裝:管件
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 140A TO-220AB
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 2.2UH 10% 1812
- FET - 單 IXYS TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-VFSOP(0.091",2.30mm 寬) IC OPAMP GP R-R 1MHZ DUAL US8
- 晶體 ECS Inc 4-SMD,無引線(DFN,LCC) CRYSTAL 14.31818MHZ 20PF SMD
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.43200 MHZ 20PF SMD
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC REG LDO 3.3V .2A 8-MSOP
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 4.7UH 10% 1812
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP GP R-R 1MHZ DUAL 8SOIC
- 晶體 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 14.31818MHZ 20PF SMD
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432 MHZ 20PF 49US
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC REG LDO 3.3V .2A 8-MSOP
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 270NH 10% 1812
- FET - 單 IXYS TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
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