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KSD1691 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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KSD1691GS詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A TO-126
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 2A,1V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO-126
包裝:散裝

KSD1691GSTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A TO-126
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:200 @ 2A,1V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO-126
包裝:管件

KSD1691OS詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A TO-126
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 2A,1V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO-126
包裝:散裝

KSD1691OSTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A TO-126
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 2A,1V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO-126
包裝:管件

KSD1691YS詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A TO-126
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:100 @ 2A,1V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO-126
包裝:散裝

KSD1691YSTSTU詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 60V 5A TO-126
系列:-
制造商:Fairchild Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):5A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):60V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):300mV @ 200mA,2A
電流_集電極截止(最大):-
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 2A,1V
功率_最大:1.3W
頻率_轉換:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO-126
包裝:管件

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