LGY1H562MELB30 全國供應商、價格、PDF資料

LGY1H562MELB30詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 5600UF 50V 20% SNAP

系列：GY

制造商：Nichicon

電容：5600µF

額定電壓：50V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時為 5000 小時

工作溫度：-40°C ~ 105°C

特點：通用

紋波電流：2.3A

ESR（等效串聯電阻）：-

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can - 卡入式

尺寸/尺寸：1.181" 直徑（30.00mm）

高度_座高（最大）：1.260"（32.00mm）

引線間隔：0.394"（10.00mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• DSH113

  配件    Apex Tool Group    徑向    D-SOLDER TIPLETS DS1204A

• IHSM4825PJ1R2L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 1.2UH 7.6A SMD

• LGY1E682MELZ30

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 6800UF 25V 20% SNAP

• DS1135LZ-10+

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 10NS 8-SOIC

• IDT70V3579S5BC

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA

• GRM31MF51C225ZA01K

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 2.2UF 16V Y5V 1206

• IMC1812BN82NM

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 82NH 20% 1812

• DTS120100SUDC-P12N

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 12VDC 1000MA P12 NEG C

• DSH-22-0004

  固定式    Schurter Inc    徑向    DSH STORAGE CHOKE 1.4A

• DS1135LZ-12/T&R

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 12NS 8-SOIC

• IDT70V3579S5BCI

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 1.125MBIT 5NS 256BGA

• GRM31MF51C335ZA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 3.3UF 16V Y5V 1206

• IMC1812BNR10M

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 100NH 20% 1812

• DTS120100SUDC-P6N

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 12VDC 1000MA P6 NEG C

• IHSM4825PJ3R3L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 3.3UH 4.6A SMD