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» 型號"LGY1J562MELB45"的供應信息
LGY1J562MELB45 全國供應商、價格、PDF資料
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深圳外
LGY1J562MELB45詳細規格
類別:電容器
描述:CAP ALUM 5600UF 63V 20% SNAP
系列:GY
制造商:Nichicon
電容:5600µF
額定電壓:63V
容差:±20%
壽命0a0溫度:105°C 時為 5000 小時
工作溫度:-40°C ~ 105°C
特點:通用
紋波電流:2.8A
ESR(等效串聯電阻):-
阻抗:-
安裝類型:通孔
封裝/外殼:徑向,Can - 卡入式
尺寸/尺寸:1.181" 直徑(30.00mm)
高度_座高(最大):1.850"(47.00mm)
引線間隔:0.394"(10.00mm)
表面貼裝占地面積:-
包裝:散裝
LGY1J562MELB45供應商
LGY1J562MELB45
深圳市同亨電子有限公司
【0755-2381688
LGY1J562MELB45
深圳市科雨電子有限公司
171-4729-9698
LGY1J562MELB45
北京首天偉業科技有限公司
010-62962871、
LGY1J562MELB45
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
LGY1J562MELB45
北京人上科技有限公司
13910052844(微
LGY1J562MELB45
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
查看更多LGY1J562MELB45的供應商
IMC1812BNR33J
固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 330NH 5% 1812
DTS120100SUDC-P7/RP
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1000MA P7 RA POS
LGY1J222MELZ35
電容器 Nichicon 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 2200UF 63V 20% SNAP
IHSM4825PJ560L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 56UH 0.95A SMD
DSI75-08B
單二極管/整流器 IXYS DO-203AB,DO-5,接線柱 DIODE CATH 1200V 110A DO-203AB
IDT70V3589S166BC
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA
GRM31MF51E105ZA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 1UF 25V Y5V 1206
DS1135LZ-15/T&R
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DELAY LINE 15NS 8-SOIC
DTS120125UDC-P12/RP
AC DC 桌面、壁式變壓器 CUI Inc TRANSF 12VDC 1250MA P12 RA POS
IHSM4825PJ680K
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 68UH 0.87A SMD
DSK-3R3H204T614-H2L
雙電層,超級電容器 Elna America 幣形,寬型端子 - 反側 CAP SUPER 0.2F 3.3V COIN SMD
GRM31MF51E475ZA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206(3216 公制) CAP CER 4.7UF 25V Y5V 1206
IDT70V3589S166BCG
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 256-LBGA IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA
DS1135U-10+
時鐘/計時 - 延遲線 Maxim Integrated 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC DELAY LINE 10NS 8-USOP
LGY1K152MELZ35
電容器 Nichicon 徑向,Can - 卡入式 CAP ALUM 1500UF 80V 20% SNAP
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