LGY1K152MELZ35 全國供應商、價格、PDF資料

LGY1K152MELZ35詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 1500UF 80V 20% SNAP

系列：GY

制造商：Nichicon

電容：1500µF

額定電壓：80V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時為 5000 小時

工作溫度：-40°C ~ 105°C

特點：通用

紋波電流：1.6A

ESR（等效串聯電阻）：-

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can - 卡入式

尺寸/尺寸：0.866" 直徑（22.00mm）

高度_座高（最大）：1.457"（37.00mm）

引線間隔：0.394"（10.00mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• GRM31MF51E105ZA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 25V Y5V 1206

• DS1135LZ-15/T&R

  時鐘/計時 - 延遲線    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DELAY LINE 15NS 8-SOIC

• DTS120125UDC-P12/RP

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 12VDC 1250MA P12 RA POS

• IMC1812BNR33K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 330NH 10% 1812

• LGY1J562MELB45

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 5600UF 63V 20% SNAP

• IHSM4825PJ680K

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 68UH 0.87A SMD

• DSK-3R3H204T614-H2L

  雙電層，超級電容器    Elna America    幣形，寬型端子 - 反側    CAP SUPER 0.2F 3.3V COIN SMD

• GRM31MF51E475ZA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7UF 25V Y5V 1206

• IDT70V3589S166BCG

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA

• DTS120125UDC-P12P

  AC DC 桌面、壁式變壓器    CUI Inc        TRANSF 12VDC 1250MA P12 POS C

• IMC1812BNR68K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 680NH 10% 1812

• IHSM4825PJ681L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 680UH 0.28A SMD

• DSK-3R3H224U-HL

  雙電層，超級電容器    Elna America    幣形，寬型端子 - 反側    CAP SUPER 0.22F 3.3V COIN SMD

• GRM31MF51E475ZA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 4.7UF 25V Y5V 1206

• IDT70V3589S166DRG8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-BFQFP    IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208QFP