LGY2F101MELZ 全國供應商、價格、PDF資料

LGY2F101MELZ詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 100UF 315V 20% SNAP

系列：GY

制造商：Nichicon

電容：100µF

額定電壓：315V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時為 7000 小時

工作溫度：-25°C ~ 105°C

特點：通用

紋波電流：690mA

ESR（等效串聯電阻）：-

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can - 卡入式

尺寸/尺寸：0.866" 直徑（22.00mm）

高度_座高（最大）：1.260"（32.00mm）

引線間隔：0.394"（10.00mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• IMC1812EBR22J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 220NH 5% 1812

• GS2974ACNE3

  接口 - 專用    Semtech        RF, RFID, WIRELESS

• LGY2E471MELC

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 470UF 250V 20% SNAP

• DS1210S/T&R

  存儲器 - 控制器    Maxim Integrated    16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC CONTROLLER CHIP NV 16-SOIC

• IDT70V631S12BC

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA

• DSP1-L2-DC5V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    2-SMD    RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 5V

• IHSM5832ER470L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 47UH 1.77A SMD

• GRM31MR71C684KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.68UF 16V 10% X7R 1206

• IMC1812EBR33M

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 330NH 20% 1812

• DS1211N+

  存儲器 - 控制器    Maxim Integrated    20-DIP（0.300"，7.62mm）    IC CONTROLLER 8-CHIP NV 20-DIP

• IDT70V631S12BC8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    256-LBGA    IC SRAM 4MBIT 12NS 256BGA

• GRM31MR71E105MA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 1UF 25V 20% X7R 1206

• DSP1-L-DC3V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    2-SMD    RELAY GENERAL PURPOSE DPST 5A 3V

• IHSM5832ER471L

  固定式    Vishay Dale    非標準    INDUCTOR POWER 470UH .49A SMD

• IMC1812EBR39J

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 390NH 5% 1812