LGY2G181MELA 全國供應商、價格、PDF資料

LGY2G181MELA詳細規格

類別：電容器

描述：CAP ALUM 180UF 400V 20% SNAP

系列：GY

制造商：Nichicon

電容：180µF

額定電壓：400V

容差：±20%

壽命0a0溫度：105°C 時為 7000 小時

工作溫度：-25°C ~ 105°C

特點：通用

紋波電流：900mA

ESR（等效串聯電阻）：-

阻抗：-

安裝類型：通孔

封裝/外殼：徑向，Can - 卡入式

尺寸/尺寸：0.984" 直徑（25.00mm）

高度_座高（最大）：1.850"（47.00mm）

引線間隔：0.394"（10.00mm）

表面貼裝占地面積：-

包裝：散裝

• GS-3-100-1500-F-LF

  通孔電阻器    TT Electronics/IRC    軸向    RES THICK FLM 150 OHM 3W 1% AXL

• IMC1812EBR82K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 820NH 10% 1812

• DS1218S

  存儲器 - 控制器    Maxim Integrated    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC CONTROLLER NV 8-SOIC

• LGY2F471MELC

  電容器    Nichicon    徑向，Can - 卡入式    CAP ALUM 470UF 315V 20% SNAP

• GRM31MR71E225KA93L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 2.2UF 25V 10% X7R 1206

• IDT70V631S15BF

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 4MBIT 15NS 208FBGA

• DSP1N5S17

  DC DC Converters    Power-One    4-SIP 模塊    CONVERTER DC-DC 1W 17V SGL

• GS-3-100-2002-F-LF

  通孔電阻器    TT Electronics/IRC    軸向    RES THICK FLM 20K OHM 3W 1% AXL

• IMC1812ER100J

  固定式    Vishay Dale        INDUCTOR WW 10UH 5% 1812

• DS1220AB-150IND

  存儲器    Maxim Integrated    24-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）    IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24DIP

• IDT70V631S15BF8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    208-LFBGA    IC SRAM 4MBIT 15NS 208FBGA

• GRM31MR71E824KA01L

  陶瓷    Murata Electronics North America    1206（3216 公制）    CAP CER 0.82UF 25V 10% X7R 1206

• GS-3-100-2203-F-LF

  通孔電阻器    TT Electronics/IRC    軸向    RES THICK FLM 220K OHM 3W 1% AXL

• IMC1812ER100K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 10UH 10% 1812

• DSP1N5S5

  DC DC Converters    Power-One    4-SIP 模塊    CONVERTER DC-DC 1W 5V SGL