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MAT14ARZ-R7 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MAT14ARZ-R7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:TRANS 4NPN 40V 30MA 14SOIC
系列:-
制造商:Analog Devices Inc
晶體管類型:4 NPN(四)配對
電流_集電極333Ic444(最大):30mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):60mV @ 100µA,1mA
電流_集電極截止(最大):3nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:-
功率_最大:-
頻率_轉換:300MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:14-SO
包裝:帶卷 (TR)

MAT14ARZ-R7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:IC TRANS 4NPN 40V 30MA 14SOIC
系列:-
制造商:Analog Devices Inc
晶體管類型:4 NPN(四)配對
電流_集電極333Ic444(最大):30mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):60mV @ 100µA,1mA
電流_集電極截止(最大):3nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:-
功率_最大:-
頻率_轉換:300MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:14-SO
包裝:Digi-Reel®

MAT14ARZ-R7詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 陣列
描述:IC TRANS 4NPN 40V 30MA 14SOIC
系列:-
制造商:Analog Devices Inc
晶體管類型:4 NPN(四)配對
電流_集電極333Ic444(最大):30mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):40V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):60mV @ 100µA,1mA
電流_集電極截止(最大):3nA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:-
功率_最大:-
頻率_轉換:300MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:14-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:14-SO
包裝:剪切帶 (CT)

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