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MCH6626-TL-E 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MCH6626-TL-E詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A,1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:230 毫歐 @ 800mA,4V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:105pF @ 10V
功率_最大:800mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:6-MCPH
包裝:帶卷 (TR)

MCH6626-TL-E詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A,1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:230 毫歐 @ 800mA,4V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:105pF @ 10V
功率_最大:800mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:6-MCPH
包裝:Digi-Reel®

MCH6626-TL-E詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6
系列:-
制造商:SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
FET型:N 和 P 溝道
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.6A,1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:230 毫歐 @ 800mA,4V
Id時的Vgs333th444(最大):-
閘電荷333Qg4440a0Vgs:1.4nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:105pF @ 10V
功率_最大:800mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:6-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:6-MCPH
包裝:剪切帶 (CT)

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