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MJD45H11 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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MJD45H11-001詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PWR PNP 8A 80V STR IPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):8A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA,8A
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 4A,1V
功率_最大:1.75W
頻率_轉換:90MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件

MJD45H11-1G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PWR PNP 8A 80V STR IPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):8A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA,8A
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 4A,1V
功率_最大:1.75W
頻率_轉換:90MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝:I-Pak
包裝:管件

MJD45H11G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS POWER PNP 8A 80V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):8A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA,8A
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 4A,1V
功率_最大:1.75W
頻率_轉換:90MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:管件

MJD45H11RLG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS POWER PNP 8A 80V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):8A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA,8A
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 4A,1V
功率_最大:1.75W
頻率_轉換:90MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:Digi-Reel®

MJD45H11RLG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS POWER PNP 8A 80V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):8A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA,8A
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 4A,1V
功率_最大:1.75W
頻率_轉換:90MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:剪切帶 (CT)

MJD45H11RLG詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS POWER PNP 8A 80V DPAK
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):8A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA,8A
電流_集電極截止(最大):1µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:40 @ 4A,1V
功率_最大:1.75W
頻率_轉換:90MHz
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:DPAK-3
包裝:帶卷 (TR)

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