MMBT123S-7 全國供應商、價格、PDF資料
MMBT123S-7詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 1A 18V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):18V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 30mA,300mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:150 @ 100mA,1V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
MMBT123S-7詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 1A 18V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):18V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 30mA,300mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:150 @ 100mA,1V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:Digi-Reel®
MMBT123S-7詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 1A 18V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):18V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 30mA,300mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:150 @ 100mA,1V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
MMBT123S-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 1A 18V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):18V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 30mA,300mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:150 @ 100mA,1V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:Digi-Reel®
MMBT123S-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 1A 18V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):18V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 30mA,300mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:150 @ 100mA,1V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:帶卷 (TR)
MMBT123S-7-F詳細規格
- 類別:晶體管(BJT) - 單路
- 描述:TRANS NPN 1A 18V SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶體管類型:NPN
- 電流_集電極333Ic444(最大):1A
- 電壓_集電極發射極擊穿(最大):18V
- IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):500mV @ 30mA,300mA
- 電流_集電極截止(最大):-
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:150 @ 100mA,1V
- 功率_最大:300mW
- 頻率_轉換:100MHz
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:SOT-23-3
- 包裝:剪切帶 (CT)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 44POS R/A .100 SLD
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR NPN GP SOT-23
- 圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
- 按鈕 Honeywell Sensing and Control 8-VFDFN 裸露焊盤 SWITCH PUSHBUTTON DPDT 0.25A 30V
- 數據采集 - 數字電位器 Microchip Technology 20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC DGTL POT QUAD 100K 20TSSOP
- 時鐘/計時 - 實時時鐘 Microchip Technology 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC RTCC 64B SRAM WD/DET 14TSSOP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 100 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 44POS DIP .100 SLD
- 存儲器 - 模塊 SanDisk 32-DIP IC DOC2000 96MB 32-DIP
- 按鈕 Honeywell Sensing and Control 8-VFDFN 裸露焊盤 SWITCH PUSHBUTTON SPDT 0.25A 30V
- 數據采集 - 數字電位器 Microchip Technology 20-VFQFN 裸露焊盤 IC DGTL POT QUAD 5K 20QFN
- 時鐘/計時 - 實時時鐘 Microchip Technology 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC RTCC 64B SRAM WD/DET 14SOIC
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 110 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
- 存儲器 - 模塊 SanDisk 32-DIP IC DOC2000 1GB 32-DIP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 5mm x 20mm CONN EDGECARD 44POS DIP .100 SLD
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